2007-04-19

取代快閃記憶體 英特爾再跨一步

英特爾公司17日發表一款記憶晶片,依據的是該公司近30年來持續改良的概念。

這款記憶晶片代號稱為「Alverston」,屬於相變化(phase change)記憶裝置。英特爾技術長Justin Rattner在北京舉行的英特爾科技論壇(Intel Developer Forum) 上秀出128位元的Alverstone樣本,並預告今年上半年內將開始把樣本晶片交給客戶。英特爾正與ST Microelectronics公司聯手開發這款記憶晶片。

新晶片的材質與生產光碟片(CD ROM discs)用的材質類似。一顆晶片被分成若干微小的單位(bit)。一旦溫度升高,在各個bit內的材質會轉變成結晶狀。這時候可用光照射這個bit,而光反射出的影像被記錄成電腦二進位系統中的「1」。

隨著再度升溫和降溫,同一bit變得無結晶狀(amorphous),形成「0」。無結晶狀和結晶狀的bits用來儲存資料。

相變化記憶體被視為可取代用於相機與手機的快閃記憶體,但也可能被用作電腦記憶體。儘管製造商近年來一直迅速縮小快閃記憶晶片的尺寸,快閃記憶晶片受限於潛在的性質與結構,令許多人憂慮未來十年這種晶片技術的進展可能開始放慢腳步。

於是製造商紛紛尋求開發替代技術,例如奈米微晶(nanocrystals)、磁性記憶體(magnetic memory)和自旋電子學(spintronics)等。這兩年來,包括飛利浦、三星和IBM在內的許多公司,都已先後發表研究報告,宣揚在相變化記憶技術方面的成果。這顯示這種技術正逐漸興起,成為呼聲最高的一種快閃記憶體替代技術。

其實,英特爾早就開始研發這項技術。英特爾共同創辦人摩爾(Gordon Moore)曾在Electronics雜誌上發表文章,暢談Ovonics記憶體未來的發展潛力。這篇文章在1970年9月刊登。(當年該雜誌也登出一篇文章,標題叫〈家用錄影機的大豪賭〉)

相變化記憶體比傳統記憶體耗電少、更持久,而且可在小範圍內儲存大量的資料。而且,每個儲存單位不會輕易翻轉或毀損。

不過,棘手之處在於製造上比較困難,穩定可靠性也嫌不足。把儲存單位從結晶狀轉化為無結晶狀,需要用充電或快速加溫的方式,把溫度拉升到攝氏600度,同時不能造成鄰近的儲存單位翻轉。

英特爾多年前就開始談論Ovonics。例如2001年,英特爾曾宣傳此技術可能取代快閃記憶體。當時,分析師預期,這款記憶晶片可能在2003年上市。(唐慧文/譯)... (原文)

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